An Asymmetry Field-Effect Phototransistor for Solving Large Exciton Binding Energy of 2D TMDCs

• Year

  2022

• Author

  MNEDL

• Professor

  Prof. Jong-Soo Lee, Dr. Hyun-Soo Ra, Dr. Do Kyung Hwang et al.

• Journal

  Advanced Materials (IF : 30.849)

• Abstract

  DGIST(총장 국양) 에너지공학과 이종수 교수 연구팀은 한국과학기술연구원 광전소재 연구단의 황도경 책임연구원 그룹과 공동연구를 통하여, 반도체 적층과 도핑공정이 필요 없는, 차세대 광센서를 개발하는데 성공하였으며, 결과는 2022년 1월 재료 연구 분야의 저명한 국제학술지인 Advanced Materials (IF : 30.849, 2.16%)에 게재되었다.
  
  이 연구에서는 기존 저차원 반도체들이 가지는 높은 엑시톤 결합에너지를 극복할 방법으로 비대칭 전계효과를 선보였으며, 전자빔 리소그래피를 활용하여 미세 나노 전극을 교차로 배열하여 비대칭 전계효과를 구현 할 구조를 실현하였다.
  
  또한, 이를 통하여 이차원 반도체는 미세 나노 전극 배열에 따라 전계효과를 통해 도핑레벨이 조절되는 것을 최초로 발견하였으며, 이 연구를 통하여 기초 연구와 기술 응용을 위한 새로운 소자 플랫폼을 구축할 것으로 기대된다.